7.1废水的来源:

7.1.1多晶硅生产废水：

三氫硅烷还原生成多晶硅过程中产生的尾气经水淋洗产生的.主要反应为：SiHCI₃+H₂-Si + HCI产品反应）SiHCI₃+ H_₂O-SiO_₂+HCI（B气淋洗）废水中主要物质为SiO_₂> HCI、硅醇及脱水生成的聚硅氯烷和硅酸、偏硅酸等.废呈强酸性，SiO,的 粒径极小，大部分聚成团漂浮的水面.

7.1.2 切、磨、拋废水

来自三个工序：

（1） 切片工序主要为粘石腊、冷却水等，废水中主要物质为：石腊、硅粉、PEG.

（2） 磨片工序的磨液成分为洗液和肥皂制成的浮液.废水中主要物质为；表面活性剂、硅粉.

（3） 抛光工序的抛光液的成分为环烷烃.废水中主要物质为：硅粉和経类有机物.切、磨、抛三种废水混合中灰色有乳状体. 7.1.3硅片清洗废水

清洗（酸洗法）废水由以下几部分过程产生：

1） SPM清洗用H₂SO₄,溶液和H₂O₂溶液按比例配成SPM溶液，将金属氧化后溶于清洗液,并将有机污染物氧化成CO_₂
和 H_₂O。此工序会产生硫酸雰和废硫酸.

2） DHF清洗 用一定浓度的氢氟酸去除硅片表面的自然氧化膜，而附着在自然氧化膜上的金属也被溶解到清洗液中，同时 DHF抑制了氧化膜的形成.此过程产生氟化氢和废氢氧酸.

3） APM清洗 APM溶液由一定比例的NH₄OH溶液、H₂O₂溶液组成，硅片表面由于H₂O₂氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲 水性），该氧化膜又被NH₄OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒和金属也随腐蚀层而落入清洗液内.此处产生氨气和废氨水

4） HPM清洗 由HCI溶液和H₂O₂溶液按一定比例组成的HPM,用于去除硅表面的钠、铁、镁和锌等金属污染物.此工序产生 氯化氢和废盐酸.

5） DHF清洗去除上一道工序在硅表面产生的氧化膜.

7.1.4 砂浆回收废水

从砂浆中回收聚乙二醇、碳化硅过程中产生的废水，主要含聚乙二醇、碳化硅及添加剂（AKD）等。

废水水质一太阳能电池

主要污染物：氢氟酸废水、含酸废水、含硅粉、切割液（聚乙二醇）废水.

1、 浓HF、浓KOH废水：F:10g/L以上

2、 稀HF废水：F:200mg/L左右

3、 稀酸、碱废水：酸和碱.

废水水质一砂浆回收

主要污染物：是主要从事太阳能硅片切割液、碳化硅微 粉、硏磨液、清洗剂等产品的技术开发和废砂浆的再生利用的 （聚乙二醇，碳化硅）废水.

高浓度废水：COD=40000mg/L

低浓度废水：COD=5000mg/L

废水水质——LED